[发明专利]具有多划分的保护环的肖特基二极管结构及制备方法

摘要

在一个实施方案中，半导体结构包括多划分的保护环，多划分的保护环包括在半导体材料区形成的第一部分和第二部分。传导接触层与半导体材料区形成第一肖特基势垒。传导接触层叠盖第二部分并形成与第一肖特基势垒的极性相反的第二肖特基势垒。传导接触层不叠盖第一部分，其与半导体材料区形成pn结。

主权项

1.一种肖特基二极管结构，其包括：半导体材料区，其具有第一主要表面、第一传导类型和第一掺杂浓度；第二传导类型的掺杂区，所述第二传导类型与所述第一传导类型相反，所述掺杂区在所述半导体材料区中形成并自所述第一主要表面延伸，其中，所述掺杂区包括第一部分和第二部分，所述第一部分的第一掺杂浓度接近于所述第一主要表面，而所述第二部分的第二掺杂浓度接近于所述第一主要表面，以及其中，所述第二掺杂浓度小于所述第一掺杂浓度；第一传导接触，其电耦合至所述半导体材料区；以及第二传导接触，其电耦合至所述半导体材料区，其中，所述第二传导接触叠盖所述第二部分而不叠盖所述第一部分，以及其中，所述第二传导接触与所述半导体材料区形成第一肖特基势垒并与所述第二部分形成第二肖特基势垒。