[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 200810005166.7 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101237029A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 吉住健辅;针马典子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L45/00;H01L27/28;H01L27/24;G11C13/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置，包括第一导电层、第二导电层、夹在第一导电层与第二导电层之间的存储层。该存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少具有纳米粒子。该纳米粒子具有被有机薄膜覆盖的导电材料。所述第一部分接触于第一导电层及第二导电层，并且该第一部分的侧面被第二部分围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，包括：第一导电层；第二导电层；以及夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间的存储层，其中，所述存储层具有第一部分和第二部分，这些部分分别至少包含具有导电材料且被有机薄膜覆盖的纳米粒子，并且，所述第一导电层通过所述第一部分电连接到所述第二导电层，并且，所述第一部分接触于所述第一导电层以及所述第二导电层，并且，所述第一部分的侧面被所述第二部分围绕。
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