[发明专利]彩色图像传感器、彩色滤光片及其制造方法无效
申请号: | 200810005308.X | 申请日: | 2008-01-30 |
公开(公告)号: | CN101419939A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 陈朝祯;赖启仲;叶承泓 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/146;G02F1/1335;G02B5/23 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种彩色影像图像传感器、彩色滤光片及其制造方法,其中该彩色滤光片的制作方法,包括下列步骤:提供一基板;毯覆式形成一平坦层于该基板上;形成一第一彩色层于该平坦层上;对该第一彩色层施以曝光及显影工艺,以形成一图案化第一彩色单元于该平坦层上;形成一第二彩色层于该平坦层和该图案化第一彩色单元上;对该第二彩色层施以曝光及显影工艺,以形成一图案化第二彩色单元于该平坦层上;形成一第三彩色层于该平坦层、该图案化第一彩色单元和该图案化第二彩色单元上;以及对该第三彩色层施以一回蚀刻工艺或化学机械研磨工艺,以形成一图案化第三彩色单元于该平坦层上。 | ||
搜索关键词: | 彩色 图像传感器 滤光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种彩色图像传感器的制造方法,包括下列步骤:提供一基板,包括一感测像素阵列;形成一金属层间介电层于该基板上,且覆盖该感测像素阵列;毯覆式形成一第一平坦层于该金属层间介电层上;形成一第一彩色层于该第一平坦层上;对该第一彩色层施以曝光及显影工艺,以形成一图案化第一彩色单元于该感测像素阵列上方;形成一第二彩色层于该第一平坦层和该图案化第一彩色单元上;对该第二彩色层施以曝光及显影工艺,以形成一图案化第二彩色单元于该感测像素阵列上方,且与该图案化第一彩色单元相邻;形成一第三彩色层于该第一平坦层、该图案化第一彩色单元和该图案化第二彩色单元上;以及对该第三彩色层施以一回蚀刻工艺或化学机械研磨工艺,以形成一图案化第三彩色单元于该感测像素阵列上方,且介于该图案化第一和第二彩色单元之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造