[发明专利]具有较低电流相变化元件的存储元件有效
| 申请号： | 200810005318.3 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101246950A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L23/522;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有较低电流相变化元件的存储元件。该装置包含一电极元件且电性接触于一相变化层。该相变化层是由一具有至少两种固态相的存储材料所组成。一顶电极元件与该相变化层电性接触于一位置，而该位置远离该电极元件的接触位置。而此结构产生通过该相变化元件的一电流，而该电流的至少一部分是垂直于该电极元件内的电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 相变 元件 存储 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，其特征在于，该装置包含：一电极元件；一相变化层，由具有至少二固态相的一存储材料所形成，且与该电极元件电性接触，以及一顶电极元件，与该相变化层电性接触于远离该相变化层与该电极之间接触位置的一位置；从而定义通过该相变化层的一电流路径，其中该路径的至少一部份垂直于该电极元件内的电流路径。
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