[发明专利]半导体结构及形成该半导体结构的方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，其中碳硅S/D区域完全容纳在非晶化区域内且栅电极没有碳。将碳完全容纳在非晶化区内，这确保了在重结晶之后所有的碳是取代式的，且因此使施加到沟道区上的拉应力最大化。在碳注入过程中栅极叠层被覆盖，因此碳进入栅极叠层并使栅极多晶硅的电导率退化与/或损伤栅极氧化物的风险基本上被消除。因此，碳注入区可以形成得更深。完全非晶化且随后重结晶的更深的S/D碳注入，在n－FET沟道区上提供更大的拉应力以进一步优化电子迁移率。此外，在n型掺杂剂工艺过程中栅极叠层未被覆盖，因此栅电极内的n型掺杂剂剂量至少可以与S/D区域内的n型掺杂剂剂量一样大。

主权项

1.一种半导体结构，包括：单晶硅层；所述单晶硅层中的沟道区；在所述单晶硅层中毗邻所述沟道区的第一注入区，其中所述第一注入区包括非晶化物质；以及所述单晶硅层中位于所述第一注入区内的包含碳的第二注入区，使得所述第一注入区的第一边缘位于所述第二注入区的第二边缘的外部并介于所述第二边缘和所述沟道区之间，其中所述碳存在于所述第二注入区中，使得所述第二注入区对于所述沟道区施加预定应力。