[发明专利]半导体装置及引线接合方法有效

专利信息
申请号: 200810005589.9 申请日: 2008-02-14
公开(公告)号: CN101252112A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 三井竜成;富山俊彦;吉野浩章 申请(专利权)人: 株式会社新川
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/603;B23K20/00;B23K101/40
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所 代理人: 王礼华
地址: 日本国东京都武*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置及引线接合方法。将引线折曲叠层在作为第二接合点的焊接点(3)上,形成具有倾斜楔(22)和第一引线折曲凸部(25)的凸出部(21),从作为第一接合点的引脚朝凸出部(21)使得引线(12)构成环形,通过毛细管前端的平面部(33)将引线(12)朝凸出部(21)的倾斜楔(22)挤压,使得引线(12)与凸出部(21)接合,同时,通过内倒角部(31)将引线(12)朝第一引线折曲凸部(25)挤压,形成弓形截面形状的引线压碎部(20)。提升引线(12),在引线压碎部(20)切断引线。在半导体装置中,提高引线和凸出部之间接合性,同时,提高引线切断性,提高焊接质量。
搜索关键词: 半导体 装置 引线 接合 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,用引线连接第一接合点和第二接合点之间,其特征在于,包括:凸出部,将引线折曲叠层形成在第二接合点上,在第一接合点的相反侧包含引线折曲凸部;引线,从第一接合点侧朝凸出部延伸,接合在凸出部上面,在引线折曲凸部侧包含截面积比引线截面积小的切断面。
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