[发明专利]光半导体装置

摘要

得到一种能够提高耐湿性的光半导体装置。在n型InP衬底(11)上依次层叠n型InGaAs光吸收层(12)、作为窗层和倍增层的n型InP层(13)(第一导电型半导体层)。选择性地进行杂质扩散或者离子注入，由此，在n型InP层(13)的上表面的一部分上形成p型InP区域(14)(第二导电型半导体区域)。n型InP层(13)以及p型InP区域(14)的上表面被表面保护膜(15)覆盖。在n型InP衬底(11)的下表面连接阴极电极(16)(第一电极)。在p型InP区域(14)的上表面连接环状的阳极电极(17)(第二电极)。以包围阳极电极(17)的方式，配置低电压电极(19)。对该低电压电极(19)施加比阴极电极(16)低的电压。

主权项

1.一种光半导体装置，其特征在于，具有：第一导电型半导体层；形成在所述第一导电型半导体层的上表面的一部分上的第二导电型半导体区域；覆盖所述第一导电型半导体层以及所述第二导电型半导体区域的上表面的表面保护膜；与所述第一导电型半导体层连接的第一电极；第二电极，与所述第二导电型半导体区域连接，对其施加比所述第一电极低的电压；低电压电极，以包围所述第二电极的方式配置，对其施加比所述第一电极低的电压。