[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，其设置有垂直MOSFET，该垂直MOSFET包括：N型漂移区，其具有用作其主表面的{110}晶面，在具有用作其侧壁表面的{110}晶面的沟槽中形成的沟槽栅结构，以及在该N型漂移区3中设置的多个P型柱状区结构，这些就构成了超结结构。该P型柱状区结构被排列为在平面图中彼此被隔开，并且多个柱状结构中的每一个都包括在横截面图中彼此被隔开的第二导电类型的多个柱状区。通过从与主表面垂直的方向对该主表面进行P型掺杂剂的离子注入，由于沟道，在漂移区更深的位置上形成P型柱状区。借此，就可以获得具有增强击穿电压的半导体器件。进一步，由于沟道的晶面可以是{110}晶面，使能获得最大的电子迁移率，因此就能够增加导通电流，所以能够降低导通电阻。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移区，具有用作其主表面的{110}晶面；沟槽中形成的沟槽栅结构，其具有在其内形成的栅绝缘膜和栅电极，该沟槽形成在所述漂移区中并且具有用作其侧壁表面的{100}晶面；该所述漂移区中设置的第二导电类型的基极区；该所述基极区中设置的第一导电类型的源极区；以及该所述漂移区中设置的第二导电类型的多个柱状结构，从平面图中观察，所述多个柱状结构被形成为彼此隔开，且其间被插入有间距，其中所述多个柱状结构中的每一个都包括沿着与所述主表面垂直的方向的、彼此被隔开的第二导电类型的多个柱状区。