[发明专利]先进的磁性随机存取记忆体设计无效
| 申请号： | 200810006260.4 | 申请日： | 2008-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101304039A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;郑旭辰;王郁仁;邓端理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L23/522;G11C11/02;G11C11/15;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于制作先进的磁性随机存取记忆阵列(MRAM)的技术，供建构记忆体集成电路芯片。更特别地，本发明涉及一种集成电路记忆体芯片，其包含至少一高速磁性记忆胞阵列与至少一高密度磁性记忆胞阵列的组合。因此，揭露于此的记忆体芯片，在同一记忆体芯片上提供了高速记忆胞与高密度记忆胞两者的优点。因此，本发明的应用乃通过高速记忆胞阵列中的记忆胞而实现，其优势来自于高速记忆胞的使用(或者甚至需要)。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 磁性 随机存取 记忆体 设计 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路记忆体芯片，包含：第一记忆胞阵列，包含高速磁性记忆胞阵列；以及第二记忆胞阵列，紧邻所述第一记忆胞阵列，所述第二记忆胞阵列包含高密度磁性记忆胞阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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