[发明专利]具有晶粒容纳孔洞的晶圆级影像传感器封装与其方法无效
申请号: | 200810006264.2 | 申请日: | 2008-02-05 |
公开(公告)号: | CN101246897A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 杨文焜;张瑞贤;林志伟;周昭男 | 申请(专利权)人: | 育霈科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/48;H01L23/28;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 北京挺立专利事务所 | 代理人: | 叶树明 |
地址: | 中国台湾新竹湖*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明系提供一种封装结构,其包含一基底;一晶粒容纳孔洞形成在该基底的上表面,一通孔结构穿过其中;一终端接垫形成在该通孔结构下,而该基底合有一导电布线形成在该基底的一下表面上;一晶粒以黏着方式配置在该晶粒容纳孔洞中,而一介电层形成在该晶粒与基底上;一重布金属层(RDL)形成在该介电层上并耦合至晶粒与通孔结构;多个导电凸块被耦合至终端接垫;一开口形成在介电层与上保护层上并露出影像传感器晶粒的微镜区域。一具斥水斥油性质之保护层(膜)被镀在微镜区域上以避免该区域受到杂质粒子污染。另外可选择在微镜区域上方形成一可过滤红外线的透明覆盖层来保护微镜区域。 | ||
搜索关键词: | 具有 晶粒 容纳 孔洞 晶圆级 影像 传感器 封装 与其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像传感器结构,其特征在于:其包含:一基底,具有一晶粒容纳孔洞形成在该基底的上表面及一通孔结构穿过其中,一终端接垫形成在该通孔结构下方以及一导电布线形成在该基底的下表面上;一具微镜区域之晶粒以黏着方式配置在该晶粒容纳孔洞中;一介电层形成在该晶粒与该基底上;一重布层(RDL)形成在该介电层上,其中该重布层经由该通孔结构耦合至该晶粒与该终端接垫;其中该介电层具有一开口一露出该微镜区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的