[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810006291.X | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101276764A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 花田贤次;木本良辅;中西正树;绀野顺平 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法可以提高利用金－焊接连接来进行倒装焊接时的焊料的润湿性。进行热处理，然后利用金－焊接连接来进行倒装焊接，由此除去附着在焊料6表面上的有机物(碳等)，确保焊料6的润湿性，从而可以进行金－焊接连接，所述热处理是指以使封装基板3的表面温度达到160～170℃的方式，隔着配置在喷灯13与封装基板3之间的遮罩12，将燃烧氢气与干燥空气的混合气体而形成的火焰14照射到封装基板3的多个倒装用端子上的焊料6上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下述步骤：(a)准备在主面上形成了多个电极且在所述多个电极上涂敷了焊料的配线基板；(b)使用氢气与干燥空气的混合气体，使所述配线基板的所述多个电极上的焊料燃烧；(c)将具有多个表面电极且在所述多个表面电极上接合了金凸块的半导体芯片配置到所述配线基板的主面上，然后，对所述焊料进行加热，使所述焊料熔融，连接所述金凸块与所述焊料，将所述半导体芯片倒装焊接到所述配线基板上；和(d)在所述半导体芯片与所述配线基板之间填充填底胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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