[发明专利]吸收层备选及应用技术无效
| 申请号： | 200810006378.7 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101256938A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·M·拉内什;布鲁斯·E·亚当斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了利用具有增强的并且稳定的热吸收系数的碳的吸收层，以及生产该类吸收层的经济方法。本发明的一个实施方式提供了一种用于处理衬底的方法，所述方法包含在在所述衬底的上表面沉积吸收层，其中所述衬底保持在第一温度，在热处理腔室中退火所述衬底，其中将所述衬底加热到第二温度，并且所述第二温度高于所述第一温度，并从所述衬底上移除所述吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 备选 应用技术 | ||
【主权项】：
1、一种用于处理衬底的方法，其特征在于，所述方法包括：在所述衬底的上表面沉积吸收层，其中所述衬底保持在第一温度下；在热处理腔室退火所述衬底，其中将所述衬底加热到第二温度，并且所述第二温度高于所述第一温度；以及从所述衬底上移除所述吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
