[发明专利]发光二极管装置

摘要

本发明是有关于一种发光二极管装置，至少包括依序堆叠在基板上的缓冲层、未掺杂氮化铟铝镓(InAlGaN)层、第一导电型氮化铟铝镓层、活性层、第二导电型氮化铟铝镓层、以及透光氮氧化物结构。透光氮氧化物结构具有相对的第一表面与第二表面，且透光氮氧化物结构的第一表面面对并接合于第二导电型氮化铟铝镓层的表面上，其中透光氮氧化物结构是一折射系数渐变式结构，且透光氮氧化物结构的折射系数从第一表面朝第二表面的方向递减。本发明可降低不同材料界面间光反射效应及光的全反射临界角损失等现象，能增加发光二极管装置光取出效率；亦可藉由这些透光层控制电流分散，达到电流分布最佳化结果；还可避免注入电流流经金属电极下方活性层，进一步提高发光效能。

主权项

1、一种发光二极管装置，其特征在于其至少包括：一基板，其中该基板的一表面上设有依序堆叠的一缓冲层以及一未掺杂氮化铟铝镓层；一第一导电型氮化铟铝镓层，设于该未掺杂氮化铟铝镓层上；一活性层，设于该第一导电型氮化铟铝镓层的一表面的一部分上，并暴露出该第一导电型氮化铟铝镓层的该表面的另一部分；一第二导电型氮化铟铝镓层，设于该活性层上；一透光氮氧化物结构，具有相对的一第一表面与一第二表面，且该第一表面接合于该第二导电型氮化铟铝镓层的一表面上，其中该透光氮氧化物结构为一折射系数渐变式结构，且该透光氮氧化物结构的折射系数从该第一表面朝该第二表面的方向递减；一第一导电型接触电极，设于该第一导电型氮化铟铝镓层的暴露部分的一部分上；以及一第二导电型接触电极，设于该透光氮氧化物结构的该第二表面的一部分上。