[发明专利]具有高密度电性连接的多波长发光模块有效
| 申请号： | 200810008520.1 | 申请日： | 2008-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101493214A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 吴明哲 | 申请（专利权）人： | 环隆电气股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V19/00 | 分类号： | F21V19/00;F21V23/00;H05B37/00;G03B27/54;G03B27/16;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高密度电性连接的多波长发光模块，其包括：驱动集成电路结构及多波长发光二极管阵列结构。其中，所述驱动集成电路结构的上表面具有驱动集成电路单元。所述多波长发光二极管阵列结构设置于所述驱动集成电路结构的上表面，并且所述多波长发光二极管阵列结构的外表面具有电性连接于所述驱动集成电路单元的导电轨迹单元。本发明能解决传统工艺采用一根一根进行打线接合而产生冗长的工艺的缺陷，进而以达到缩小产品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度电性连接所需的生产成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高密度 连接 波长 发光 模块 | ||
【主权项】：
1、一种具有高密度电性连接的多波长发光模块，其特征在于，包括：驱动集成电路结构，其上表面具有驱动集成电路单元；以及多波长发光二极管阵列结构，其设置于所述驱动集成电路结构的上表面，并且所述多波长发光二极管阵列结构的外表面具有电性连接于所述驱动集成电路单元的导电轨迹单元。
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