[发明专利]蚀刻反应系统

摘要

一种蚀刻反应系统，包括一蚀刻反应室、一气体输送管、一上射频电极、一下射频电极、一抽气泵、一底座、一集中环及一挡块。蚀刻反应室具有一排气口。气体输送管连接于蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入至蚀刻反应室之中。上射频电极设置于蚀刻反应室之上。下射频电极设置于蚀刻反应室之下。蚀刻工艺气体通过上射频电极及下射频电极的运作而转化成等离子体。抽气泵连接于排气口。底座设置于蚀刻反应室之中。集中环设置于底座之上，用以容置一晶片。挡块设置于集中环之上，并且对应于排气口，用以使流经晶片的表面的等离子体均匀分布。

主权项

1. 一种蚀刻反应系统，包括：一蚀刻反应室，具有一排气口；一气体输送管，连接于该蚀刻反应室，用以将蚀刻工艺气体输入到该蚀刻反应室之中；一上射频电极，设置于该蚀刻反应室之上；一下射频电极，设置于该蚀刻反应室之下并且与该上射频电极相对，其中，该蚀刻工艺气体通过该上射频电极及该下射频电极的运作而转化成等离子体；一抽气泵，连接于该排气口，用以将所述等离子体抽离该蚀刻反应室；一底座，设置于该蚀刻反应室之中；一集中环，设置于该底座之上，用以容置一晶片，其中，所述等离子体蚀刻该晶片；以及一挡块，设置于该集中环之上并且对应于该排气口，用以使流经该晶片的所述等离子体均匀分布。