[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底制造方法

摘要

提供一种能够增强衬底PL强度的III－V族化合物半导体衬底制造方法。在这种III－V族化合物半导体衬底制造方法中，首先，抛光晶片3的表面3a(抛光步骤)。其次，清洗晶片3的表面3a(第一清洗步骤S7)。接下来，使用含卤素气体，对晶片3的表面3a进行第一干蚀刻，同时将第一偏压功率施加到用于承载晶片3的卡盘24上。随后，使用含卤素气体，对晶片3的表面3a进行第二干蚀刻(第二干蚀刻步骤S11)，同时将比第一偏压功率低的第二偏压功率施加到卡盘24。

主权项

1.一种III-V族化合物半导体衬底制造方法，包括：抛光片状III-V族化合物半导体晶体的表面的抛光步骤；在所述的抛光步骤之后，清洗所述III-V族化合物半导体晶体表面的清洗步骤；在所述清洗步骤之后的第一干蚀刻步骤，对用来承载所述III-V族化合物半导体晶体的电极施加第一偏压功率，并同时使用第一含卤素气体对所述晶体表面进行第一干蚀刻；和在所述第一干蚀刻步骤之后的第二干蚀刻步骤，对所述电极施加小于所述第一偏压功率的第二偏压功率，且同时使用第二含卤素气体对所述III-V族化合物半导体晶体表面进行第二干蚀刻。