[发明专利]具有等离子壳层控制器的离子束设备无效
| 申请号： | 200810008875.0 | 申请日： | 2008-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101236892A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李道行;黄盛煜;申哲浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/513;H01J37/32;H01J37/08;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 等离子 控制器 离子束 设备 | ||
【主权项】：
1.一种离子束设备，包括：等离子体腔；安装在所述等离子体腔的一端并具有第一离子提取孔的栅格组件；以及设置在所述等离子体腔和所述栅格组件之间，并具有小于所述第一离子提取孔的第二离子提取孔的等离子壳层控制器。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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