[发明专利]MOS器件及其制造方法

摘要

公开了一种具有独立应变的沟道区的NMOS和PMOS器件结构及其制造方法。NMOS器件的源极和漏极由使得NMOS器件沟道的应变朝着拉伸方向偏移的材料外延生长。而PMOS器件的源极和漏极由使得PMOS器件沟道的应变朝着压缩方向偏移的材料外延生长。

主权项

1.一种器件结构，包括：至少一个NMOS器件和至少一个PMOS器件，其中所述至少一个NMOS器件和所述至少一个PMOS器件具有其寄宿在基于Si的层中的对应的沟道区，其中所述基于Si的层是外延的并且与SiGe支撑层交界，其中第一应变状态为所述基于Si的层所固有；与所述基于Si的层以及与所述SiGe支撑层交界的外延的第二Si基材料，其中所述至少一个NMOS器件的源极和漏极由所述第二Si基材料制成，所述第二Si基材料具有低于所述SiGe支撑层的Ge浓度，所述第二Si基材料实质地填充为所述至少一个NMOS器件的所述源极和所述漏极产生的第一空隙，所述第一空隙穿透所述基于Si的层并进入所述SiGe支撑层，所述第二Si基材料使得所述至少一个NMOS器件的所述沟道区处于应变状态，该应变状态与所述第一应变状态相比被朝着拉伸方向偏移；与所述基于Si的层以及与所述SiGe支撑层交界的外延的第二SiGe材料，其中所述至少一个PMOS器件的源极和漏极由所述第二SiGe材料制成，所述第二SiGe材料具有高于所述SiGe支撑层的Ge浓度，所述第二SiGe材料实质地填充为所述至少一个PMOS器件的所述源极和所述漏极产生的第二空隙，所述第二空隙穿透所述基于Si的层并进入所述SiGe支撑层，所述第二SiGe材料使得所述至少一个PMOS器件的所述沟道区处于应变状态，该应变状态与所述第一应变状态相比被朝着压缩方向偏移。