[发明专利]感测晶片结构、晶片级感测构装结构与制作方法

摘要

本发明公开了一种感测晶片结构、晶片级感测构装结构及其制作方法，其制作方法步骤包含：提供一包含感测芯片的晶片，其感测芯片具有感测区与焊垫；形成一应力释放层于晶片表面；披覆一光阻层于应力释放层上；图案化光刻胶层以露出焊垫及部分的应力释放层，但不曝露感测区的开口区域；形成重布焊垫的导电金属层于光刻胶层所露出的应力释放层上；去除光刻胶层；形成一重披覆光刻胶层于应力释放层及导电金属层上；打开与重布焊垫区域上方的重披覆光刻胶层以形成孔口；以及形成导电凸块于孔口以电性连接导电金属层。

主权项

1.一种具应力释放层的感测晶片结构，其特征在于，包含：一晶片，具有一晶片表面及相对的一晶片背面，该晶片具有多个感测芯片，每一感测芯片具有一感测部及多个焊垫；以及一应力释放层，覆盖于该晶片表面，并曝露出该些焊垫与该些感测部，形成多个焊垫区与感测区。