[发明专利]一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法有效
申请号: | 200810009438.0 | 申请日: | 2008-02-02 |
公开(公告)号: | CN101236985A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 龙翔澜 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L23/522;H01L45/00;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/56;G11C16/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有共平面电极表面的存储单元装置及其制造方法。该装置包含多个第一电极,而每一第一电极具有与该位线的该顶表面共平面的顶表面,该第一电极延伸穿过在该位线内对应的过孔。绝缘构件在每一过孔之内,以及其为具有厚度的环形,而该绝缘构件介于该对应的第一电极与作为第二电极的该位线的部位之间。一层存储材料延伸穿过该绝缘构件以接触该位线及该第一电极的该顶表面。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 平面 电极 表面 存储 单元 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种存储装置,包含:具有顶表面及多个过孔的位线;具有个别的顶表面的多个第一电极,而该个别的顶表面与该位线的该顶表面共平面,而该第一电极延伸穿过在该位线中对应的过孔;多个绝缘构件,而该些绝缘构件位于对应的过孔内并为具有厚度的环形,而该绝缘构件介于该对应的第一电极与作为第二电极的该位线的部位之间;以及存储材料层延伸穿过该绝缘构件以接触该位线及该第一电极的该些顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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