[发明专利]互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，其中半导体装置具有为一外置应力源层所覆盖的至少一晶体管。在一N型金属氧化物半导体装置中，上述外置应力源层包含：一张应力膜，位于源极与漏极区上方；与一压应力膜外置应力源层，位于多晶硅上方。在一P型金属氧化物半导体装置中，上述外置应力源层包含：一压应力膜，位于源极与漏极区上方；与一张应力膜外置应力源层，位于多晶硅上方。在一较佳实施例中，上述半导体装置包含一N型金属氧化物半导体晶体管与一P型金属氧化物半导体晶体管，而形成一互补型金属氧化物半导体装置，且其为一外置应力源层所覆盖。通过针对不同晶体管分别形成对应的张/压应力膜外置应力源层，本发明能够有效强化晶体管的功能。

主权项

1.一种互补型金属氧化物半导体装置，具有至少一N型金属氧化物半导体晶体管，每个晶体管具有一源极区、一漏极区、与一栅极结构，该互补型金属氧化物半导体装置包含：一第一张应力层，置于该N型金属氧化物半导体晶体管的源极区与该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极区上；以及一第一压应力层，位于该N型金属氧化物半导体晶体管的栅极结构上方。