[发明专利]提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置无效

专利信息
申请号: 200810010062.5 申请日: 2008-01-09
公开(公告)号: CN101358329A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;赵彦辉;杜昊;闻立时 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置,解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在,严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。本发明是在电弧离子镀沉积工艺中使用的简便装置,用以减少薄膜中大颗粒的含量,降低薄膜表面的粗糙度,提高薄膜的性能和寿命,达到制备高质量薄膜的要求。
搜索关键词: 提高 电弧 离子镀 沉积 薄膜 质量 装置
【主权项】:
1、提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置,其特征在于:采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间,与靶材和基体同轴放置,基体后放置增强磁场的发生装置。
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