[发明专利]氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法无效
| 申请号： | 200810010444.8 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101513997A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;张艳丽;王兆钰;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01B33/12;H01B7/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米电缆的合成技术，特别提供了一种电弧放电法原位合成无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，起弧放电后，石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发，原位合成出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点，是纳米电缆及场效应管等纳米器件中绝缘层的理想材料；此外，所研制纳米电缆的芯体仅由一根或几根单壁碳纳米管构成，将有利于单壁碳纳米管纳米尺度效应的发挥并提高所构建纳米器件的效率和灵敏度等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 硅包覆单壁碳 纳米 电缆 结构 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法，其特征在于：采用阴、阳极直流电弧放电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗性阳极，阳极原料中：催化剂选自铁、钴、镍过渡族元素之一种或两种以上混合，加入量为1.0-10.0at.％；硫化铁做生长促进剂，加入量为0.1-4.0at.％；硅粉的加入量为2at.％-7at.％；余量为石墨；缓冲气体为50-500Torr氢气，直流电流为30-200A，起弧放电后，石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发，原位合成出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。
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