[发明专利]一种多孔中空结构金属氧化物的通用合成方法无效
申请号: | 200810010844.9 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101274749A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 薛冬峰;刘军 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C01B13/14 | 分类号: | C01B13/14;C01G3/02;C01G51/04;C01G53/04 |
代理公司: | 大连八方知识产权代理有限公司 | 代理人: | 卫茂才 |
地址: | 116024辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于无机非金属材料的制备领域,具体地说是涉及一种通用的合成高孔隙率中空金属氧化物方法。本方法是以可溶性过渡金属硝酸盐(MNO3,M=Cu,Ni,Co)和可溶性硫源(硫脲,thiourea)和硒源(亚硒酸钠,Na2SeO3)为原料,先制得金属硫化物(CuS,Cu2S,NiS,CoS)和硒化物(CuSe)前驱物,再经过程序升温高温氧化得到相应的多孔金属氧化物空心框架(CuO,NiO and Co3O4)。该方法克服了以往制备方法中原料和生产成本高,工艺复杂等缺点,制备的金属氧化物比表面积高、热稳定性高、分散性好、不需要加入昂贵的高分子有机模板、易于实现工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 中空 结构 金属 氧化物 通用 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种多孔中空结构金属氧化物的通用合成方法,其特征在于,以可溶性无机过渡金属盐、硫源和硒源为原料,按1∶0.5~5的摩尔比水热和溶剂热合成,再经过过滤、洗涤、干燥制得金属硫化物和硒化物前驱物,该前驱物经过程序升温煅烧得到多孔中空结构金属氧化物,其中:溶剂热时间为5~48小时,水热或溶剂热温度为100~300℃,煅烧温度为400~900℃,升温速率为5~20℃/min,煅烧时间为2~8小时。
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