[发明专利]提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法有效
申请号: | 200810010984.6 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101555164A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 张劲松;田冲;曹小明;杨振明;刘强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85;C04B41/88 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及泡沫陶瓷材料及材料表面改性领域,具体指一种用于提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法。该方法包括:第一步,将碳化硅泡沫陶瓷在700~1300℃下预氧化处理1~10小时;第二步,经第一步处理的碳化硅泡沫陶瓷在惰性气氛或者真空下,在离子溅射镀膜机内,利用Al金属靶材,在泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al;第三步,经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温空气气氛下放置10~24小时后,在500~1200℃氧化气氛下氧化处理1~20小时,然后再通入Ar或N2保护气体升温至1200~1550℃保温0.5~2小时。本发明在碳化硅泡沫陶瓷表面形成一层致密的抗高温氧化涂层,该种全新的方法具有有效、适应性强、经济可靠的特点。 | ||
搜索关键词: | 提高 碳化硅 泡沫 陶瓷 高温 氧化 性能 表面 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法,其特征在于:第一步,将碳化硅泡沫陶瓷在700~1300℃下预氧化处理1~10小时;第二步,经第一步处理的碳化硅泡沫陶瓷在惰性气氛或者真空下,在离子溅射镀膜机内,利用Al金属靶材,在泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al;第三步,经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温空气气氛下放置10~24小时后,在500~1200℃氧化气氛下氧化处理1~20小时,然后再通入Ar或N2保护气体升温至1200~1550℃保温0.5~2小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810010984.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。