[发明专利]一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810014907.8 | 申请日： | 2008-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101311357A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 马瑾;杨帆;栾彩娜 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜。该薄膜是具有单晶结构的外延材料，薄膜的载流子迁移率大于30cm2V－1S－1，可见光范围的平均相对透过率超过85％，在室温光致发光谱测量试验中观测到带间跃迁产生的发光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 铟单晶 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基铟作为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长氧化铟单晶薄膜；其中的工艺条件如下：反应室压强30～100Torr，生长温度 500～800℃，背景N2流量100～800sccm，有机金属源温度10～25℃，有机金属源载气(N2)流量10～60sccm，氧气流量10～80sccm，氧化铟薄膜的外延生长速率为0.5～1.5nm/min。
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