[发明专利]碘辅助低温制备氮化硅纳米材料的方法无效
| 申请号： | 200810015133.0 | 申请日： | 2008-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101239709A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 钱逸泰;傅丽;马小健;王连成 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82B3/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用碘辅助反应低温制备氮化硅纳米材料的方法，是将硅粉、碘和叠氮化钠按摩尔比1∶2－3∶2.7－5.3混合，密封在高压釜中，置于190℃～300℃温度条件下反应5小时～20小时；开釜，将产物经酸浸洗、再水洗至pH中性，常规离心分离和干燥产物，然后将所得产品经氢氟酸与硝酸混和液洗涤除去未反应的单质硅，再真空干燥即获得α－和β－两相混合的氮化硅纳米材料。本发明方法使用廉价环保的硅粉为原料，所得产物形貌是一维的，易于加强陶瓷的韧性。由于采用了碘辅助硅粉的反应，反应温度较现有技术相对较低，反应路线简单，适合于工业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 辅助 低温 制备 氮化 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用碘辅助反应低温制备氮化硅纳米材料的方法，其特征在于，将硅粉、碘和叠氮化钠按摩尔比1∶2-3∶2.7-5.3混合，密封在高压釜中，置于190℃～300℃温度条件下反应5小时～20小时；开釜，将产物经酸浸洗、再水洗至pH中性，常规离心分离和干燥产物，然后将所得产品经氢氟酸与硝酸混和液洗涤除去未反应的单质硅，再真空干燥即获得α-和β-两相混合的氮化硅纳米材料。
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