[发明专利]高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810017336.3 申请日: 2008-01-18
公开(公告)号: CN101224979A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 蒲永平;王瑾菲 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/00;H01B3/12;H01C7/02
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 张震国
地址: 710021陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料的制备方法,将Na2CO3、Bi2O3和TiO2混合得到混合物A;将TiO2和BaCO3混合得到混合物B,然后分别将混合物A、混合物B球磨后合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体和BaTiO3粉体;将合成的Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体、半导化元素和TiO2混合球磨、干燥、造粒、成型坯体;将成型的坯体在还原气氛下烧结得到半导化的陶瓷样品;将半导性的陶瓷样品在空气中氧化得到高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料。本发明实现无铅化,避免了电阻材料制造和使用中铅对环境的污染、人体的伤害,并且解决了无铅高居里点陶瓷材料实现半导化的技术难题。
搜索关键词: 居里 点无铅 ptc 陶瓷 电阻 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料的制备方法,其特征在于:1)首先按质量份数将26.2份的Na2CO3、116.5份的Bi2O3和79.9份的TiO2混合得到混合物A;再按质量份数将79.9份的TiO2和197.4份的BaCO3混合得到混合物B,然后分别将混合物A、混合物B加入去离子水中球磨3-5小时,过滤后将球磨的粉料在80-100℃烘干;2)然后将烘干后的混合物A在800-850℃保温1-2小时合成Na0.5Bi0.5TiO3粉体,将烘干后的混合物B在1280-1350℃保温1-2h合成BaTiO3粉体;3)将合成的Na0.5Bi0.5TiO3粉体、BaTiO3粉体、半导化元素Ln和TiO2 按照(Na0.5Bi0.5)x(Ba1-x-z)TiO3+zLn+2mol%TiO2,其中0<x<0.01,0<z<1.0配比后球磨、干燥、造粒、成型坯体;4)将成型的坯体在还原气氛下烧结,在管式气氛炉中通氢气,保证炉膛内的负压还原气氛,从室温以150℃/h的升温速率升到780℃/h,保温1h,然后再以300-480℃的升温速率升到1280-1350℃,保温2h,再以炉温200-300℃/h的降温速率降到室温,即得到半导化的陶瓷样品;5)将半导性的陶瓷样品在空气中于400-680℃下再氧化1-2小时,使晶界得到氧化而形成晶界势垒得到高居里点无铅PTC陶瓷电阻材料。
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