[发明专利]多晶硅薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200810018147.8 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101286530A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;栾苏珍 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;黎汉华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜晶体管。主要解决目前多晶硅薄膜器件性能较差，饱和电压较高的问题。整个器件包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其中栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度，以同时控制源电极和沟道区。栅电极上淀积有Si3N4介质层，该Si3N4介质层的长度覆盖整个栅电极和漏电极。Si3N4介质层上淀积有本征多晶硅薄膜，源极和漏极分别设置其两端，且源极采用肖特基金属，并通过栅电压，控制源电极肖特基势垒高度，进而控制器件中的电流大小。本发明比常规多晶硅薄膜器件的饱和电压低10倍，在相同偏压情况下，比常规多晶硅薄膜晶体管的开态电流提高了50％以上，可用于有源矩阵阵列液晶显示器的开关。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜晶体管，包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其特征在于：所述的栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极上面淀积有Si3N4介质层，Si3N4介质层上淀积有本征多晶硅薄膜；所述的源电极采用肖特基金属电极，位于本征多晶硅薄膜的上方。
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