[发明专利]钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法

摘要

本发明为钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法，它的分子式可表为Gd_3xY_3(1－x)Sc₂Ga_3(1+δ)O₁₂(x＝0～1，＝－0.2～0.2)，可用Gd₂O₃、Y₂O₃、Sc₂O₃、Ga₂O₃，或相应的钆、钇、钪、镓的其他化合物进行配料，只要能最终化合为Gd_3xY_3(1－x)Sc₂Ga_3(1+δ)O₁₂即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长；对于需用籽晶定向生长的熔体法，籽晶为GYSGG单晶、或钇钪镓石榴石YSGG单晶、或钆钪镓石榴石单晶GSGG。GYSGG单晶可用作Bi³⁺掺杂的钇铁石榴石外延薄膜的衬底材料。

主权项

1、钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG，其特征在于：化合物的分子式可表示为Gd3xY3(1-x)Sc2Ga3(1+δ)O12，其中，x的取值范围为0～1，δ值可取正值和负值，范围为-0.2～0.2。