[发明专利]半导体晶片激光刻蚀开沟方法无效
| 申请号： | 200810018637.8 | 申请日： | 2008-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101246822A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吴念博 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B23K26/36 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片激光刻蚀开沟方法，其特征在于：利用激光束垂直辐射半导体晶片表面，伴随激光束与半导体晶片之间的相对移动，在移动路径上激光束以熔化并蒸发的方式刻蚀辐射区表层的材料，以此在半导体晶片表面形成沟槽；所述激光束采用紫外激光，波长为200～400纳米，频率为30～50千赫，单脉冲能量为100～200微焦耳。本发明涉及半导体制造技术，该方法不仅环保高效，同时克服了以往利用湿法或干法刻蚀进行开沟所存在的不足，提高了开沟精度、稳定性和一致性，降低了成本，丰富了半导体晶片表面刻蚀开沟的加工工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 激光 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体晶片激光刻蚀开沟方法，其特征在于：利用激光束垂直辐射半导体晶片表面，伴随激光束与半导体晶片之间的相对移动，在移动路径上激光束以熔化并蒸发的方式刻蚀辐射区表层的材料，以此在半导体晶片表面形成沟槽；所述激光束采用紫外激光，波长为200～400纳米，频率为30～50千赫，单脉冲能量为100～200微焦耳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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