[发明专利]氮化镓薄膜外延生长结构及方法有效
| 申请号： | 200810018838.8 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101302648A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李忠辉;陈辰;董逊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是氮化镓薄膜外延生长结构及方法，结构是SOI衬底上是AlN成核层，成核层上是低V/III比GaN缓冲层，低V低V/III比/III比缓冲层上是GaN单晶薄膜。方法是选择SOI衬底，装入MOCVD反应室；烘烤；降温并通入三甲基铝，生长AlN成核层；关闭三甲基铝，降温并通入氨气，生长GaN缓冲层；升温并通入氨气和三甲基镓，生长GaN单晶薄膜；降至室温。优点：低V/III比GaN缓冲层通过延长GaN薄膜由三维生长转变为准二维生长时间使晶粒充分长大，降低晶粒密度，释放失配应力，提高GaN薄膜晶体质量。利用低V/III比GaN缓冲层减小SOI基GaN单晶薄膜失配应力、降低位错密度、提高晶体高质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 外延 生长 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、氮化镓薄膜外延生长结构，其特征是在SOI衬底上是成核层；成核层上是低V/III比GaN缓冲层；GaN缓冲层上是GaN单晶薄膜。
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