[发明专利]一种非易失存储器

摘要

一种非易失存储器，属非易失存储器。该存储器由绝缘基体(1)，导电层(2)，绝缘层(3)和导电条带(4)组成。制作时，导电层(2)和绝缘层(3)依次生长于绝缘基体(1)之上，并蚀刻一定的沟道，而后对绝缘基体(1)施加拉应变并将导电条带(4)平铺固定于绝缘层(3)上。完成后，撤去拉应变，导电条带(4)就会向上弯曲，远离导电层(2)，或向下弯曲，接触导电层(2)。通过两者的接触与否来实现“ON”和“OFF”两种状态。写入时，当导电条带(4)和导电层(2)加同种电压时，两者分离；当导电条带(4)和导电层(2)加不同电压时，两者接触。这种存储器的尺寸可以由宏观尺度到纳米级别，存储密度可达T/cm²，响应速度可达ns。

主权项

1.一种非易失存储器，其特征在于，包括绝缘基体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)和导电条带(4)，其中导电层(2)置于绝缘基体(1)之上，绝缘层(3)置于导电层(2)之上，导电条带(4)平铺固定于绝缘层(3)之上，所述导电层(2)蚀刻成等间距的条带，条带宽度由设计存储密度来决定，所述绝缘层(3)蚀刻成绝缘台阶，台阶厚度和相互之间的间距由存储密度、写电压来确定。