[发明专利]晶体硅太阳能电池的热处理方法

摘要

本发明涉及太阳电池的生产方法，具体地说是一种晶体硅太阳电池的热处理方法。这种方法包括：a.进舟：将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管温区中；b.回温：使扩散炉管温区温度恢复至860～900℃；c.通源：在扩散炉温度达到稳定后，通入含磷的气体源，在硅片上生成含磷的磷硅玻璃氧化层；d.再扩：在不通源的情况下，将磷硅玻璃内和进入硅片中的含磷杂质进一步向硅片内部扩散，起到杂质再分布和结深推进作用；e.降温：然后将扩散炉管温区的炉温由860～900℃降低到730～770℃；f.出舟：将装有扩散好硅片的石英舟拉出扩散温区，到达室温区停留。利用该方法可获得一种太阳电池合适的N区磷杂质分布，并兼有部份的退火吸杂效应，以适应不同硅片材料的加工，同时不增加原有的工艺时间。

主权项

1、晶体硅太阳能电池的热处理方法，其特征是：a、进舟：将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管温区中，扩散炉管温区的炉温为860～900℃；b、回温：进舟时推入的硅片、石英舟、硅碳浆是室温的，会引起扩散炉管高温区温度的下降，需要一个时间，使扩散炉管温区温度恢复至860～900℃；c、通源：在扩散炉温度达到稳定后，通入含磷的气体源，在硅片上生成含磷的磷硅玻璃氧化层，继而使含磷杂质扩散入硅片中；d、再扩：在不通源的情况下，将磷硅玻璃内和进入硅片中的含磷杂质进一步向硅片内部扩散，起到杂质再分布和结深推进作用；e、降温：然后将扩散炉管温区的炉温由860～900℃降低到730～770℃。f、出舟：将装有扩散好硅片的石英舟拉出扩散温区，到达室温区停留。