[发明专利]MOS结构的功率晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层、绝缘介质层、多晶硅层、栅氧化层和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层，多晶硅层一端与相邻多晶硅层之间的有源区原胞具有引线孔，金属层延伸至引线孔与第三掺杂层和第二掺杂层相接导通；多晶硅层另一端与相邻多晶硅层之间的有源区虚拟原胞的金属层与第二掺杂层之间具有绝缘介质层，或金属层与第三掺杂层和第二掺杂层之间具有绝缘介质层。本发明增加了一个没有电连接的有源区虚拟原胞结构，在不改变有源区原胞密度前提下，通过增加有源区虚拟原胞，减小了第二掺杂层空间电荷区曲率半径，能提高器件击穿电压，改善器件输入、输出及开关特性的特点。

主权项

1、一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层(1)、绝缘介质层(2)、多晶硅层(3)、栅氧化层(4)和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层(8)，其特征在于：所述多晶硅层(3)一端与相邻多晶硅层(3)之间的有源区原胞具有引线孔(6)，金属层(1)延伸至引线孔(6)与第三掺杂层(5)和第二掺杂层(7)相接导通；多晶硅层(3)另一端与相邻多晶硅层(3)之间的有源区虚拟原胞的金属层(1)与第二掺杂层(10)之间具有绝缘介质层(2)，或多晶硅层(3)另一端与相邻多晶硅层(3)之间的有源区虚拟原胞的金属层(1)与第三掺杂层(9)和第二掺杂层(10)之间具有绝缘介质层(2)。