[发明专利]二氧化钛纳米孔阵列薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810020618.9 申请日: 2008-02-04
公开(公告)号: CN101503211A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 金震;费广涛;庄重 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C01G23/047 分类号: C01G23/047;B01J21/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜中的孔为有序通孔阵列,其通孔直径为15~130nm、孔间距为25~200nm、孔隙率为30~40%,薄膜的厚度为10~1000nm;方法步骤为,第一步,使用二次氧化法得到孔直径为20~150nm的多孔氧化铝模板;第二步,先使用无水乙醇、冰醋酸、钛酸四丁酯和水配制前驱体溶液,再用硝酸调节其pH值至2~3后向其中加入聚乙二醇而获得前驱体溶胶;第三步,先将前驱体溶胶涂覆于多孔氧化铝模板上,再对其保温干燥,重复涂覆、干燥的过程至少一次,接着,对涂覆有溶胶的氧化铝模板进行退火后,将其置于强碱溶液中腐蚀掉多孔氧化铝模板,制得二氧化钛纳米孔阵列薄膜。它可广泛应用于传感器、催化、光催化及光子晶体等领域。
搜索关键词: 氧化 纳米 阵列 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种二氧化钛纳米孔阵列薄膜,包括二氧化钛,其特征在于所述二氧化钛呈多孔薄膜状,所述多孔薄膜中的孔为有序通孔阵列,所述有序通孔阵列的孔直径为15~130nm、孔间距为25~200nm、孔隙率为30~40%,所述薄膜的厚度为10~1000nm。
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