[发明专利]抗电磁干扰低功耗高压驱动电路无效
申请号: | 200810020736.X | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101232284A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 李海松;吴虹;孙伟锋;易扬波;时龙兴 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;H03K17/13;H03K17/687 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陆志斌 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路,包含电平转换级(1)、缓冲级(2)、高压输出级(3),第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1),电平转换级(1)的输出(HV2)和第三控制信号(LV3_1、LV3_2、……LV3_n)接缓冲级(2),缓冲级(2)的输出(HV3_n)和第四、第五控制信号(LV4、LV5)接高压输出级(3),高压输出级(3)中包含由高压N型MOS管组成的抗电磁干扰电路模块,上述第五控制信号(LV5)接上述N型MOS管栅极,上述高压输出级的输出接上述N型MOS管漏极,上述N型MOS管源极接地。它能够在不增加版图面积的前提下,用简单电路实现减小电磁干扰功能。 | ||
搜索关键词: | 电磁 干扰 功耗 高压 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1.一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路,包含电平转换级(1)、高压输出级(3),第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)的第一、第二输入端,电平转换级(1)的输出(HV2)接高压输出级(3)的第一输入端,第四控制信号(LV4)接高压输出级(3)的第二输入端,其特征在于,高压输出级(3)中包含由高压N型MOS管组成的抗电磁干扰电路模块,第五控制信号(LV5)接上述N型MOS管的栅极,高压输出级(3)的输出(Q)接上述N型MOS管的漏极,上述N型MOS管的源极接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810020736.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。