[发明专利]抗电磁干扰低功耗高压驱动电路无效

专利信息
申请号: 200810020736.X 申请日: 2008-02-22
公开(公告)号: CN101232284A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 李海松;吴虹;孙伟锋;易扬波;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;H03K17/13;H03K17/687
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 陆志斌
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路,包含电平转换级(1)、缓冲级(2)、高压输出级(3),第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1),电平转换级(1)的输出(HV2)和第三控制信号(LV3_1、LV3_2、……LV3_n)接缓冲级(2),缓冲级(2)的输出(HV3_n)和第四、第五控制信号(LV4、LV5)接高压输出级(3),高压输出级(3)中包含由高压N型MOS管组成的抗电磁干扰电路模块,上述第五控制信号(LV5)接上述N型MOS管栅极,上述高压输出级的输出接上述N型MOS管漏极,上述N型MOS管源极接地。它能够在不增加版图面积的前提下,用简单电路实现减小电磁干扰功能。
搜索关键词: 电磁 干扰 功耗 高压 驱动 电路
【主权项】:
1.一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路,包含电平转换级(1)、高压输出级(3),第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)的第一、第二输入端,电平转换级(1)的输出(HV2)接高压输出级(3)的第一输入端,第四控制信号(LV4)接高压输出级(3)的第二输入端,其特征在于,高压输出级(3)中包含由高压N型MOS管组成的抗电磁干扰电路模块,第五控制信号(LV5)接上述N型MOS管的栅极,高压输出级(3)的输出(Q)接上述N型MOS管的漏极,上述N型MOS管的源极接地。
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