[发明专利]多元芯片型积层电容器的制造方法有效
| 申请号： | 200810021209.0 | 申请日： | 2008-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101335130A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 林清封 | 申请（专利权）人： | 钰邦电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/045;H01G9/02;H01G9/022 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 刘瑞平 |
| 地址： | 214105江苏省无锡市锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了多元芯片型积层电容器的制造方法。其制作过程简单、成本低、组装方便、合格率高。其特征在于：将不同的金属薄片基板分别切割出数个分离并以延伸部止于基板而相连的阳极片及阴极片，将多细孔性的隔离薄板冲压出与阴极片、阳极片对应而较阴极片、阳极片小的通孔后作为阴极片、阳极片之间的隔离层；接着将阴极片、阳极片及隔离层按照阴极片、隔离层、阳极片、隔离层、阴极片的顺序进行堆栈及压合，形成至少一层阴极层、阳极层及隔离层的积层结构；之后再将该积层结构浸渍于电解质之溶液中，以吸收电解质，且/或予以热聚合，使阳极片与阴极片之间的隔离层形成导电性高分子聚合物电解质层；最后将此积层结构进行裁切，并引出阳极导片、阴极导片，即完成多元芯片型之积层电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 多元 芯片 型积层 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、多元芯片型积层电容器的制造方法，其特征在于：将不同的金属薄片基板分别切割出数个分离并以延伸部止于基板而相连的阳极片及阴极片，将多细孔性的隔离薄板冲压出与阴极片、阳极片对应而较阴极片、阳极片小的通孔后作为阴极片、阳极片之间的隔离层；接着将阴极片、阳极片及隔离层按照阴极片、隔离层、阳极片、隔离层、阴极片的顺序进行堆栈及压合，形成至少一层阴极层、阳极层及隔离层的积层结构；之后再将该积层结构浸渍于电解质之溶液中，以吸收电解质，且/或予以热聚合，使阳极片与阴极片之间的隔离层形成导电性高分子聚合物电解质层；最后将此积层结构进行裁切，并引出阳极导片、阴极导片，即完成多元芯片型之积层电容器；
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