[发明专利]一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料及制备有效
| 申请号： | 200810022005.9 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101328303A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 路建美;董延茂;夏雪伟;徐庆锋;王丽华;李娜君 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00;C08K3/30;C09K11/56;C09K11/88;C08G61/12 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料及其制备方法，所述光电纳米复合材料是由纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种修饰3－烷氧基噻吩－3－对硝基苄氧基噻吩交替聚合物而得，所述纳米材料可选自纳米硒化镉、硫化镉、硫化锌中的一种。该复合材料的光致发光(PL)、电致发光(EL)和三阶非线性光学(NLO)性能相对于聚(3－烷基噻吩)有较大改善，而且该复合材料具有纳米粒子含量可控、粒径可控、光学性能强等特点，因此该复合材料在催化、光电转化等方面具有一定的应用潜能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 推拉 电子 结构 光电 纳米 复合材料 制备 | ||
【主权项】：
1.一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料，其特征在于：采用纳米材料修饰具有推拉电子结构的3-烷氧基噻吩-3-对硝基苄氧基噻吩交替聚合物而得，所述纳米材料选自纳米硒化镉、纳米硫化镉或纳米硫化锌中的一种。
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