[发明专利]近室温高阻尼金属基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810022756.0 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101624664A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王伟国;王先平;方前锋;杨俊峰;程帜军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C21/00;C22C18/00;C22C23/00;B22F3/10 |
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| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种近室温高阻尼金属基复合材料及其制备方法。材料为陶瓷与金属间的质量比为1～2∶1～19，陶瓷为钽/铌酸镧锂粉体，其粒径为0.1～15μm，金属为铝粉体或铝合金粉体或锌粉体或锌合金粉体或镁粉体或镁合金粉体或锌铝合金粉体或镁铝合金粉体，其粒径为1～140μm；方法为按照钽/铌酸镧锂的成分比，称取相应量的氧化镧、碳酸锂和五氧化二钽/五氧化二铌，经两次球磨和保温获得钽/铌酸镧锂粉体，然后，先将钽/铌酸镧锂粉体与金属混合后得到混合体，再将其于300MPa以上的压力下压制成坯体，最后将坯体在惰性气体中于650～900℃下保温9h以上，制得近室温高阻尼金属基复合材料。它在室温～100℃的阻尼性能以及硬度和抗压缩能力均有非常明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 阻尼 金属 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种近室温高阻尼金属基复合材料，包括陶瓷与金属的混合体，其特征在于：所述陶瓷与金属间的质量比为1～2∶1～19，所述陶瓷为钽/铌酸镧锂粉体，其粒径为0.1～15μm，所述金属为铝粉体，或铝合金粉体，或锌粉体，或锌合金粉体，或镁粉体，或镁合金粉体，或锌铝合金粉体，或镁铝合金粉体，其粒径为1～140μm。
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