[发明专利]一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法无效
| 申请号： | 200810023485.0 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101261441A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈明勇 | 申请（专利权）人： | 芯硕半导体（中国）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230601安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法，在使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻系统中，入射光入射到空间光调制器件上，空间光调制器上产生设计图形，通过光学投影元件，以一定的放大倍率投影到光敏感元件的衬底上，产生曝光图形，并在曝光图形上产生线尾收缩和内角扩散现象，其特征在于：利用空间光调制器件的灰度调制能力，在空间光调制器上的设计图形外围或边沿加入灰度衬线，和/或将设计图形的局部或全部改变灰度，并通过优化算法进行成像模拟，最终获得较优的曝光图形，以减小因临近效应带来的曝光图形失真。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无掩膜 光刻 系统 曝光 图形 临近 效应 校正 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法，在使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻系统中，入射光入射到空间光调制器件上，空间光调制器上产生设计图形，通过光学投影元件，以一定的放大倍率投影到光敏感元件的衬底上，产生曝光图形，并在曝光图形上产生衬线、灰度条等辅助图案减小因衍射受限引起的线尾收缩和内角扩散现象，其特征在于：利用空间光调制器件的灰度调制能力，在空间光调制器上的设计图形外围或边沿加入灰度衬线，和/或改变设计图形的局部或全部的灰度，并通过优化算法进行成像模拟，最终获得较优的曝光图形，以减小因临近效应带来的曝光图形失真。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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