[发明专利]一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法

摘要

本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入O₂蒸发薄膜、制备器件电极各步骤。本发明的方法仅用氧气作为气源，成本低、对环境无污染，且在低温下进行，操作安全。

主权项

1.一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，包括以下步骤：第一步骤、清洗硅片衬底，并去除其表面自然氧化层后干燥；第二步骤、蒸发薄膜2-1、将清洗后的硅片衬底放入电子束蒸发沉积装置的反应腔，在电子束蒸发的过程中通入所需流量的O2，在硅片衬底正面获得所需氧配比的SiOx薄膜；2-2、快速热退火，使SiOx薄膜中的Si先析出成核、结晶；2-3、恒温退火处理，使结晶核继续长大，生成镶嵌有纳米硅量子点的二氧化硅薄膜；第三步骤、制备器件的电极3-1、在镶嵌有纳米硅的SiO2薄膜上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；3-2、在硅片衬底背面淀积导电薄膜作为发光器件的阳极。