[发明专利]硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备无效
申请号: | 200810025197.9 | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101276855A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 曾春红;王敏锐;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及设备,其工艺:先兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,并在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,在N2鼓泡系统下进行清洗;在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。清洗、制绒过程采用兆声波,使制绒的均匀性得到充分保障,制绒后清洗中使用氧化性极强的O3,很好的清除K离子;整个过程采用极少量的化学试剂,减少了环境污染。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 清洗 制绒 干燥 工艺 及其 设备 | ||
【主权项】:
1.硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,其特征在于:具体包括以下步骤——1)兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,并在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;2)制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,HF浓度为2%~5%,O3的溶解度在5~10ppm,并在N2鼓泡系统下进行清洗;3)以上清洗后,在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810025197.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的