[发明专利]一种发光二极管制作工艺无效
| 申请号： | 200810025294.8 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101276865A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 曾金穗;曾文煌;薛宝林 | 申请（专利权）人： | 扬州华夏集成光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所 | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管制作工艺，属于LED技术领域，本发明为克服现有铝电极LED制程中所存在若干缺点，主要特点是以氧化铟锡N型导电物质做发光二级管的N电极，无需合金便与外延片具有较好接触，这样就使得可以在做完厚铝开图光刻形成P电极后，再对衬底研磨减薄做N电极，避开了原先做N电极前需合金而使铝硬化的问题，本发明一方面能缩短四元LED制作的工时，节约成本，另一方面可减少制程中的破片问题，便于企业生产，有利于提高产品质量和生产效率，降低生产成本和提高企业经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管制作工艺，其结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，制作工艺首先在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金合金，其特征是所述的制作工艺还依次包括在底金合金上镀厚铝，开图光刻形成P电极，然后研磨减薄已形成P电极后的外延片的衬底，最后在衬底上蒸镀N型导电物质形成N电极。
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