[发明专利]近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器无效

专利信息
申请号: 200810025450.0 申请日: 2008-04-30
公开(公告)号: CN101282022A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 李海军;王敏锐;张晓东;张宝顺 申请(专利权)人: 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/028;B82B1/00
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人: 陈忠辉
地址: 215125江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器,在半导体激光器的出光端面镀金属薄膜层,金属薄膜层上制作有纳米孔阵列,纳米孔阵列的周围具有光栅结构,光栅周期为10~200nm,光栅围绕纳米孔阵列排列成圆形、或半圆形、或多边形、或C形;纳米孔阵列中单孔的形状为方形、或圆形、或椭圆形、或半圆形、或双C形、或双三角形,排列成三角形、或圆形、或多边形、或环形。通过在金属薄膜上制作周期性的纳米孔阵列和光栅结构实现对光波波矢的调制,产生光波电磁场与金属表面自由电子的共振,增强表面等离子体波的激发,表面等离子体波在纳米孔阵列的边缘发生散射激发出光,从而大大增强透过光。同时,纳米孔阵列对透过效率也具有显著的增强作用。
搜索关键词: 近场 光学 增强 纳米 阵列 通光孔 激光器
【主权项】:
1.近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器,其特征在于:在半导体激光器的出光端面镀有金属薄膜层,在金属薄膜层上制作有纳米孔阵列,纳米孔阵列的周围具有光栅结构。
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