[发明专利]一种半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810026118.6 | 申请日： | 2008-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101226981A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;王钢;范冰丰 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括替代衬底及通过金属层依次连接于替代衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由上往下至少包含一个缓冲层、N型层、发光层和P型层，N型层内设有导电体，其一端向上延伸露出缓冲层，并设有N型电极，其另一端与金属层之间设有绝缘介质层，替代衬底的下端设有P型电极，使导电体与发光层、P型层及金属层隔离。本发明的器件是从N型层侧出光，在出光侧无需使用透明电极，能有效地提高半导体器件的输出功率，还能有效降低LED器件的热阻。另外，本发明还公开了一种半导体发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，其包括导电的替代衬底(11)及通过金属层(10)连接于替代衬底(11)上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由上往下依次包含缓冲层(2)、N型层(3)、发光层(4)和P型层(5)，其特征在于：N型层内设有一导电体，其一端向上延伸露出缓冲层(2)，并设有N型电极(13)，其另一端与金属层(10)之间设有绝缘介质层，替代衬底(11)的下端设有P型电极(12)，该导电体由小通孔(6)及填充于小通孔(6)内的导电物质(8)构成，该导电体仅与缓冲层(2)及N型层(3)接触，绝缘介质层由尺寸略大于小通孔(6)的大通孔(7)及填充于大通孔(7)内的绝缘介质(9)构成，使导电体与发光层(4)、P型层(5)及金属层(10)隔离。
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