[发明专利]画素布局结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种画素布局结构及其制造方法，在每一画素资料线之一侧或二侧设有虚设非晶矽层(A-Si dummy layer)之结构；本发明即利用此虚设非晶矽层的设计，使其在现有的测试条件下(利用现有之阵列自动测试机台进行测试)，若画素存在有非晶矽残留时，藉以提高其电容耦合效应及电子传导效应，进而检出形成画素缺陷；因此，本发明确实可有效提高阵列自动测试机检出发生非晶矽残留之画素缺陷的能力。

主权项

1.一种画素布局结构，其包括：一透明基板、一第一金属层、一第一绝缘层、一非晶矽层、一第二金属层、一第二绝缘层及一透明导电电极层；其特征在于，该第一金属层系位于该透明基板上，以形成一画素扫描线、一电晶体之闸极及至少一金属遮光层；又，该第一绝缘层系位于该第一金属层上；再，该非晶矽层系位于该第一绝缘层上，以形成该电晶体之通道及至少一虚设非晶矽层，且该虚设非晶矽层位于该金属遮光层上方；又，该第二金属层系位于该非晶矽层上，以形成一画素资料线及该电晶体之源极与汲极；再，该第二绝缘层系位于该第二金属层上，并具有数导通孔；又该透明导电电极层系位于该第二绝缘层上，并经该导通孔与该汲极相导通。