[发明专利]离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 200810029162.2 申请日: 2008-07-01
公开(公告)号: CN101307005A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 朱旭辉;刘刚;黄菊;曹镛 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C07C217/14 分类号: C07C217/14;C07C213/02;H01L51/54;H01L51/00
代理公司: 广州粤高专利代理有限公司 代理人: 何淑珍
地址: 510640广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了离子型阴极缓冲层材料及其制备方法与应用,该缓冲层材料具有电子注入/传输功能,在化学结构上以苯为中心,通过接入刚性端基并调节阴离子基团种类,使得所制备的阴极缓冲层材料兼具醇溶性和非晶态特性。该离子型阴极缓冲层材料可通过醇溶液旋涂法制备均匀薄膜,且可不破坏醇溶剂为不良溶剂的发光薄膜层。同时,在使用此类阴极缓冲层材料后,电致发光器件性能可以与使用Ba/Al电极的器件性能相当,从而可避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极。本发明具有制备简单和材料易于提纯、成膜、长期稳定性好的优点。
搜索关键词: 离子 阴极 缓冲 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1、离子型阴极缓冲层材料,其特征在于该类材料具有如下化学结构式:其中,R1,R2是刚性基团,为苯基或稠环芳烃或及其衍生物;n=1-18;R3-R5为碳数为1-18的烷基链;X-是阴离子。
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