[发明专利]一种皮芯结构微孔碳化硅纤维及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810030436.X 申请日: 2008-01-08
公开(公告)号: CN101195938A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 楚增勇;赫荣安;程海峰;王应德;张晓宾;李效东 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: D01F9/10 分类号: D01F9/10;D01D5/08;D01D10/02
代理公司: 长沙星耀专利事务所 代理人: 宁星耀
地址: 410073湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种皮芯结构微孔碳化硅纤维及其制备方法,该纤维的特征在于,皮层与芯部均含有孔径<2nm的微孔,且皮层微孔体积含量高于芯部;皮层厚度与半径之比为0.1-0.9;纤维的比表面积,根据皮层厚度的不同,为400m2/g-1400m2/g,平均孔径为1.30-1.60nm;皮层C含量>90wt%,余为Si,或者Si和O;芯部C含量为27-35wt%,O含量为10-20wt%,余为Si。制备方法的特征在于,利用KOH活化法刻蚀掉皮层的Si元素形成皮芯结构,同时形成较高比例的微孔,该方法可调节纤维的比表面积与导电特性。本发明之皮芯结构微孔碳化硅纤维可用于物理化学吸附、催化剂载体与吸波隐身等领域。
搜索关键词: 种皮 结构 微孔 碳化硅 纤维 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种皮芯结构微孔碳化硅纤维,其特征在于,皮层与芯部均含有孔径<2nm的微孔,且皮层微孔体积含量高于芯部;皮层厚度与半径之比为0.1-0.9;纤维的比表面积,根据皮层厚度的不同,为400m2/g-1400m2/g,平均孔径为1.30-1.60nm;皮层C含量>90wt%,余为Si,或者Si和O;芯部C含量为27-35wt%,O含量为10-20wt%,余为Si。
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