[发明专利]含镉荧光半导体量子点的制备方法无效
申请号: | 200810030888.8 | 申请日: | 2008-03-24 |
公开(公告)号: | CN101245247A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 朱明强;刘金华;樊俊兵;徐晓波 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马强 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明为含镉荧光半导体量子点的制备方法,它用CdO为镉源,并用Se源、S源,以油酸,柴油或豆油分别作为CdO和Se、S的溶剂,形成Cd前体溶液和Se、S前体溶液,油酸同时作为生成的量子点的稳定剂,其后将Cd前体溶液和Se、S前体溶液在150-250℃下反应,分别获得CdSe、CdS量子点。CdO为镉源,并用Te源,以油酸、癸酸、辛酸、己酸,柴油或豆油分别作为CdO和Te的溶剂,形成Cd前体溶液和Te前体溶液,将Cd前体溶液与Te前体溶液在80-180℃柴油体系中混合,得到CdTe量子点。本发明在较低温度下可得到具有良好的可分散性,均匀性和光学性的量子点,可大批量生产廉价的量子点。 | ||
搜索关键词: | 荧光 半导体 量子 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种硒化镉荧光半导体量子点的制备方法,其特征是,该方法为:a.用氧化镉或醋酸镉或氯化镉作为镉源,在185℃-195℃将所述镉源溶入由油酸和溶剂A组成的混合溶剂中,油酸与溶剂A的体积比为1∶5-100,所述镉源在所述混合溶液中的浓度为5mg/ml-35mg/ml,镉源与油酸的摩尔比为1∶2-10,得镉Cd前体溶液;b.以硒粉作为硒源,在封闭体系中,快速搅拌下将所述硒源在205℃-215℃溶入溶剂A中,硒粉在溶剂A中的浓度为4mg/ml-15mg/ml,得硒Se前体溶液;c.按氧化镉与硒粉摩尔比为1-5∶1,镉前体溶液和硒前体溶液的摩尔浓度比为2-10∶1,镉前体溶液与硒前体溶液的体积比为1∶2-10,合并所述镉前体溶液和硒前体溶液并在150℃-250℃下反应,油酸同时作为生成的量子点的稳定剂,获得硒化镉量子点;所述溶剂A为柴油、煤油以及色拉油、豆油、花生油、菜籽油、玉米油、茶油、麻油的任一种。
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